主要內(nèi)容

由于 III-V 族半導體生長所需的襯底成本過高，這使得大面積半導體生長技術受到限制。因此，能夠分離器件層并重復使用原始襯底是較為理想的方案，但現(xiàn)有的從襯底上剝離薄膜技術具有顯著缺點。這篇文章討論了在 III-V 族襯底和覆蓋層之間所生長的水溶性堿鹵鹽薄膜的復雜性。大部分困難源于生長的 GaAs 在高溫下會在 NaCI 表面活性分解。GaAs 沉積之前和沉積期間，原位電子束入射到 NaCl 表面會影響 III?V 族覆蓋層結晶度和形態(tài)。

在這篇文章中，團隊研究了生長過程中寬范圍生長溫度、元素源和高能電子在不同點的撞擊通量時間等因素對生長的影響。其中發(fā)現(xiàn)，根據(jù)特定生長條件會出現(xiàn)各種形態(tài)（離散島狀物、多孔材料及具有尖銳界面的致密層）和結晶度（非晶、結晶、高紋理），這主要是由 GaAs 成核的變化驅動，而 GaAs 成核在很大程度上受到反射式高能電子衍射束的影響。

其中由巨力光電代理的 kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 在研究過程中提供溫度測量

產(chǎn)品推薦

kSA BandiT實時襯底溫度測試儀 是一種非接觸、實時測量半導體襯底表面溫度的測試系統(tǒng)，采用半導體材料吸收邊隨溫度的變化的原理，實時測量晶片/襯底的溫度。

文獻信息

Consideration of the Intricacies Inherent in Molecular Beam Epitaxy of the NaCl/GaAs System

Brelon J. May, Jae Jin Kim, Patrick Walker, William E. McMahon, Helio R. Moutinho, Aaron J. Ptak, and David L. Young*